La diferencia entre un BJT, un transistor de unión bipolar y un FET, o un transistor de efecto de campo, reside en su control y polaridad; BJT es bipolar y FET es unipolar. Un BJT se controla principalmente por la corriente, mientras que un FET se controla principalmente por el voltaje.
Un BJT se basa en dos portadores de carga, orificio y electrón diferentes para su nivel de conducción. Un FET se basa en un portador de carga, ya sea agujero o electrón para su nivel de conducción. Un FET de canal n tiene un electrón como portador de carga. El agujero es el portador de carga para un FET de canal p. Los BJT pueden ser transistores npn o pnp.
Otras diferencias entre un BJT y un FET son en términos de estabilidad de la temperatura y tamaño. Normalmente, un FET es más pequeño con una temperatura más estable que un BJT.
