La diferencia entre la memoria de acceso aleatorio estático y la memoria de acceso aleatorio dinámico está en la forma en que contienen los datos: la DRAM requiere que los datos se actualicen a intervalos regulares, mientras que la SRAM no requiere que los datos se actualicen periódicamente siempre que la potencia la fuente permanece intacta. Por esta razón, los dos tipos de RAM también son estructuralmente diferentes.
SRAM y DRAM son los dos tipos de memoria de acceso aleatorio y cada uno tiene sus pros y sus contras. La DRAM es generalmente más lenta que la SRAM debido a los circuitos adicionales necesarios para los ciclos de actualización de datos.
Un chip DRAM comprende varias celdas de memoria. Cada celda contiene solo un bit de información y está hecha de un capacitor y un transistor. Por supuesto, estas son partes extremadamente diminutas y miles de ellas pueden caber en un solo chip de memoria. Una complicación importante introducida por los circuitos adicionales en DRAM es que requiere más energía para actualizar los datos. Esta diferencia tiene implicaciones significativas en los dispositivos que usan baterías.
La tecnología utilizada en SRAM requiere que la celda de memoria tenga más transistores para contener una cantidad específica de datos. Por esta razón, una celda de memoria en SRAM consume más espacio en un chip en comparación con una celda de memoria dinámica. Por lo tanto, SRAM ofrece a los usuarios menos memoria por chip y genera una gran diferencia de costos entre los dos.
En resumen, la SRAM es más rápida y más costosa, mientras que la DRAM es más lenta y económica.
